[发明专利]磁阻式存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 201811024412.3 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110875421B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 冯雅圣;陈禹钧;邱久容;林宏展 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明公开一种磁阻式存储单元及其制造方法，该磁阻存储单元包括基板。内层介电层设置在所述基板上。导通塞结构设置在所述内层介电层中。磁性固定层设置在所述导通塞结构上。隧穿阻障层设置在所述磁性固定层上，以覆盖所述磁性固定层的顶部与侧壁，其中所述隧穿阻障层包含由所述侧壁的底部向外的水平延伸部分。磁性自由层有 |
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| 搜索关键词： | 磁阻 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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