[发明专利]晶体硅太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201810998350.X | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110931572B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 谭伟华;孙翔;赵志强 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 刘兵;戴香芸 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种晶体硅太阳电池及其制备方法，该晶体硅太阳电池包括硅基体片、位于所述硅基体片正表面上的正面电极、位于所述硅基体片背表面上的氧化铝钝化层、位于所述氧化铝钝化层上的硫化铅保护层，以及位于所述硫化铅保护层上的背面电极，其中，所述氧化铝钝化层和所述硫化铅保护层上具有多个通槽。本发明提供的晶体硅太阳电池的光电转换效率高、钝化效果好，并且工艺相对简单。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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