[发明专利]形成用于封装互连应用的混合插口结构的方法及由此形成的结构在审

专利信息
申请号: 201810996820.9 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN109585416A 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: K·艾京;张志超;C·盖伊克;G·考尔 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L21/768
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 林金朝;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 描述了形成封装结构的方法/结构。那些方法/结构可以包括导电插针,包括:悬臂梁部分,与封装基板的第一侧物理耦合;触针部分,其中,所述触针部分的端子末端物理地和电气地耦合到板;壳体结构,包括壳体腔,其中,所述触针部分至少部分地设置在壳体腔内;及导电材料,设置在壳体侧面上和/或壳体腔的表面附近。优化导电材料的放置以满足双倍数据速率(DDR)和/或快速外围部件接口(PCIe)接口的要求。
搜索关键词: 壳体腔 触针 导电材料 外围部件接口 插口结构 导电插针 端子末端 封装基板 封装结构 结构描述 壳体侧面 壳体结构 双倍数据 物理耦合 电气地 悬臂梁 耦合到 互连 封装 应用 优化
【主权项】:
1.一种微电子封装插口结构,包括:导电插针,包括:悬臂梁部分,其与封装基板的第一侧物理耦合;触针部分,其中,所述触针部分的端子末端物理地和电气地耦合到板;包括壳体腔的壳体结构,其中,所述触针部分至少部分地设置在所述壳体腔内;以及导电材料,其设置在所述壳体腔的表面附近。
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