[发明专利]形成用于封装互连应用的混合插口结构的方法及由此形成的结构

说明书

描述了形成封装结构的方法/结构。那些方法/结构可以包括导电插针，包括：悬臂梁部分，与封装基板的第一侧物理耦合；触针部分，其中，所述触针部分的端子末端物理地和电气地耦合到板；壳体结构，包括壳体腔，其中，所述触针部分至少部分地设置在壳体腔内；及导电材料，设置在壳体侧面上和/或壳体腔的表面附近。优化导电材料的放置以满足双倍数据速率(DDR)和/或快速外围部件接口(PCIe)接口的要求。

背景技术

随着对未来几代动态数据速率(DDR)存储器和快速外围部件互连(PCIe)技术的带宽需求的增加，需要改进输入/输出(I/O)通道的各个部件的设计以满足期望的电性能规格。例如，将微电子封装互连到母板的插口(socket)可能是通道损耗和串扰的重要原因，从而限制较高速度下的通道裕度。因此，改进插口设计可实现未来高速DDR和PCIe链路的互连技术。

附图说明

尽管本说明书以特别指出并明确要求保护某些实施例的权利要求书作出结论，但当结合附图阅读时，从以下说明中可以更容易地确定这些实施例的优点，其中：

图1a表示根据实施例的插口结构的横截面图。图1b表示根据实施例的插口结构的顶视图。

图2表示根据实施例的封装结构的横截面图。

图3a-3c表示根据实施例的电性能图。

图4表示根据实施例的形成封装结构的方法的流程图。

图5表示根据实施例的计算设备的示意图。

具体实施方式

在以下具体实施方式中，参考了附图，附图通过图示的方式示出了可以实践方法和结构的特定实施例。足够详细地描述了这些实施例，以使本领域技术人员能够实践这些实施例。应该理解的是，各种实施例虽然不同，但不一定是相互排斥的。例如，在不脱离实施例的精神和范围的情况下，本文结合一个实施例描述的特定特征、结构或特性可以在其他实施例中实现。另外，应该理解，在不脱离实施例的精神和范围的情况下，可以修改每个公开的实施例中的各个元件的位置或布置。

因此，以下具体实施方式不应被视为具有限制意义，并且实施例的范围仅由适当解释的所附权利要求以及权利要求享有权利的等同变换的全部范围来限定。在附图中，在几个视图中，类似的标记可以指代相同或相似的功能。本文使用的术语“在……上方”、“到”、“在……之间”和“在……上”可以指一层相对于其他层的相对位置。在另一层“上方”或“上”或“接合”到另一层的一层可以直接与另一层接触，或者可以具有一个或多个中间层。“层”之间的一层可以直接与层接触，或者可以具有一个或多个中间层。彼此“相邻”的层和/或结构可以或可以不具有介于它们之间的中间结构/层。直接在一层(多层)/结构(多个结构)上/直接接触一层(多层)/结构(多个结构)的层(多层)/结构(多个结构)可以在它们之间没有中间层(多个中间层)/结构(多个结构)。

可以在诸如封装基板的基板上形成或执行本文实施例的各种实施方式。封装基板可以包括能够在管芯(例如集成电路(IC)管芯)和微电子封装可以耦合到的下一级部件(例如，电路板)之间提供电连通的任何合适类型的基板。在另一实施例中，基板可以包括能够在IC管芯和与下IC/管芯封装耦合的上IC封装之间提供电连通的任何合适类型的基板，并且在另一实施例中，基板可以包括能够在上IC封装和IC封装耦合到的下一级部件之间提供电连通的任何合适类型的基板。

基板还可以为管芯/器件提供结构支撑。举例来说，在一个实施例中，基板可以包括多层基板-包括电介质材料和金属的交替层-围绕芯层(电介质或金属芯)构建的。在另一个实施例中，基板可以包括无芯多层基板。其他类型的基板和基板材料也可用于所公开的实施例(例如，陶瓷、蓝宝石、玻璃等)。此外，根据一个实施例，基板可以包括在管芯本身上构建的电介质材料和金属的交替层-该工艺有时被称为“无焊内建工艺”。在利用这种方法的情况下，可以需要或不需要导电互连(因为在一些情况下内建层可以直接设置在管芯上方)。