[发明专利]用于T型三电平MOSFET逆变器的分状态脉冲测试方法

摘要

本发明公开一种用于T型三电平MOSFET逆变器的分状态脉冲测试方法，将T型三电平MOSFET逆变器的电压和电流状态分为四类分别进行测试，将负载电感接在逆变器输出端，在第一类和第二类状态测试中另一端连接于负直流母线，在第三类和第四类状态测试中另一端连接于正直流母线。在第一类测试中，测试逆变器第一只MOSFET的开通和关断特性；在第二类测试中，测试逆变器第二只MOSFET的开通和关断特性，测试第四只MOSFET的同步整流状态；在第三类测试中，测试逆变器第四只MOSFET的开通和关断特性；在第四类测试中，测试逆变器第三只MOSFET的开通和关断特性，测试第一只MOSFET的同步整流状态。本发明针对逆变器的不同工作状态采用不同的测试电路和脉冲，测试全面，同时能够测试同步整流状态。

主权项

1.一种用于T型三电平MOSFET逆变器的分状态脉冲测试方法，其特征在于，包括以下步骤：将逆变器电压和电流状态分为四类，其中，第一类电压和电流状态为：电压和电流均大于0；第二类电压和电流状态为：电压小于0，电流大于0；第三类电压和电流状态为：电压电流均小于0；第四类电压和电流状态为：电压大于0，电流小于0；将负载电感Lload一端连接在MOSFET Q1、MOSFET Q3和MOSFET Q4的交点，另一端连接于负直流母线；MOSFET Q1施加双脉冲驱动信号，MOSFET Q2的驱动信号保持高电平，MOSFET Q3和MOSFET Q4的驱动信号保持低电平，对运行状态为第一类电压和电流状态的逆变器进行测试，测试MOSFET Q1的开通特性和关断特性；将负载电感Lload一端连接在MOSFET Q1、MOSFET Q3和MOSFET Q4的交点，另一端连接于负直流母线；MOSFET Q1和MOSFET Q3的驱动信号保持低电平，MOSFET Q2施加双脉冲驱动信号，在MOSFET Q4的驱动信号中添加一个用于形成同步电流状态的驱动脉冲，对运行状态为第二类电压和电流状态的逆变器进行测试，测试MOSFET Q2的开通特性和关断特性，测试MOSFET Q4的同步整流状态；将负载电感Lload一端连接在MOSFET Q1、MOSFET Q3和MOSFET Q4的交点，另一端连接于正直流母线；MOSFET Q4施加双脉冲驱动信号，MOSFET Q3的驱动信号保持高电平，MOSFET Q1和MOSFET Q2的驱动信号保持低电平，对运行状态为第三类电压和电流状态的逆变器进行测试，测试MOSFET Q4的开通特性和关断特性；将负载电感Lload一端连接在MOSFET Q1、MOSFET Q3和MOSFET Q4的交点，另一端连接于正直流母线；MOSFET Q2和MOSFET Q4的驱动信号保持低电平，MOSFET Q3施加双脉冲驱动信号，在MOSFET Q1的驱动信号中添加一个用于形成同步电流状态的驱动脉冲，对运行状态为第四类电压和电流状态的逆变器进行测试，测试MOSFET Q3的开通特性和关断特性，测试MOSFET Q1的同步整流状态。