[发明专利]具有反向偏压机制的堆叠SOI半导体装置在审
| 申请号： | 201810926212.0 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109509750A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 巴特罗梅·帕拉克 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及具有反向偏压机制的堆叠SOI半导体装置，其中，一半导体装置包括至少两个堆叠SOI层或配置，各该SOI层或配置可包括基于一给定技术节点形成的晶体管元件。至少该顶层的设备层可包括用于提供相应晶体管元件的优越可控性的一反向偏压机制。在一些说明性实施例中，至少两个堆叠SOI配置可在其中实现一反向偏压机制，其中，提供一适当的接触方式以便连接到各堆叠设备层对应的埋置绝缘层下方的相应导电区域或层。因此，在一给定技术节点的基础上，可以提高横向封装密度。 | ||
| 搜索关键词： | 反向偏压 堆叠 半导体装置 晶体管元件 技术节点 配置 埋置绝缘层 导电区域 堆叠设备 接触方式 可控性 设备层 顶层 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一半导体层，形成于第一埋置绝缘层上；第一电路元件，形成于该第一半导体层之中及该第一半导体层上方；导电层，形成于该第一电路元件上方；第二埋置绝缘层，形成于该导电层上；以及第二半导体层，形成于该第二埋置绝缘层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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