[发明专利]纳米阵列结构透镜、制备方法及深紫外LED在审
| 申请号： | 201810876587.0 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109273582A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 梁仁瓅;许琳琳;王昊;陈景文;王帅;陈长清;戴江南 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 王秀丽 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米阵列结构透镜的制备方法，具体步骤包括：覆盖保护层、光刻、干法刻蚀保护层、湿法刻蚀蓝宝石衬底、去除保护层。本发明提供的制备方法，将纳米光刻和干湿法蚀刻相结合，能够在蓝宝石衬底上制作均匀的，大面积的且易于控制的纳米阵列，从而在透镜中形成从而形成纳米阵列结构。本发明还提供一种纳米阵列结构透镜，由上述纳米阵列结构透镜的制备方法制得。本发明又提供一种深紫外LED，包括LED芯片、密封剂及上述的纳米阵列结构透镜，该深紫外LED具有较好的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 透镜 纳米阵列结构 制备 深紫外LED 蓝宝石 保护层 衬底 蚀刻 覆盖保护层 光提取效率 干法刻蚀 纳米光刻 纳米阵列 湿法刻蚀 干湿法 密封剂 光刻 去除 制作 | ||
【主权项】：
1.一种纳米阵列结构透镜的制备方法，其特征在于：具体步骤包括：(1)覆盖保护层：在蓝宝石衬底上蒸镀二氧化硅保护层；(2)光刻：在步骤(1)处理后的所述二氧化硅保护层的上面旋涂光刻胶，在所述光刻胶上覆盖带有微米级直径阵列孔的光刻板，对所述光刻板进行紫外投影曝光；(3)干法刻蚀保护层，在CF4和O2的混合气氛中等离子体蚀刻步骤(2)处理后的所述二氧化硅保护层以使所述二氧化硅上出现阵列孔以至于部分所述蓝宝石衬底曝露出来；(4)湿法刻蚀蓝宝石衬底，由98％浓硫酸溶液和84％浓磷酸溶液混合蚀刻步骤(3)处理后的所述蓝宝石衬底使得所述蓝宝石衬底上出现阵列结构；(5)去除保护层，使用氧等离子体清除步骤(4)处理后的所述蓝宝石衬底上的二氧化硅保护层得到纳米阵列结构透镜。
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