[发明专利]每位多单元的非易失性存储器单元

摘要

本发明公开了一种每位多单元的NVM单元，其半导体基底，具有被沟槽隔离区域分开的第一、第二和第三OD区域，彼此平行并沿第一方向延伸，第一OD区域位于第二和第三OD区域之间。选择晶体管和字线晶体管设置在第一OD区域上。多个串联的浮置栅极晶体管设置在选择晶体管和字线晶体管之间，并设置在第一OD区域上。各浮置栅极晶体管包括第一浮置栅极延伸部，沿第二方向朝向第二OD区域延伸并与第二OD区域中的擦除栅极区域相邻。各浮置栅极晶体管包括第二浮置栅极延伸部，沿第二方向朝向第三OD区域延伸，电容耦合到第三OD区域中的控制栅极区域。

主权项

1.一种每位多单元的非易失性存储器单元，其特征在于，包含：一半导体基底，包括通过沟槽隔离区域彼此分开的第一氧化物界定区域、第二氧化物界定区域和第三氧化物界定区域，其中第一、第二和第三氧化物界定区域彼此平行并沿一第一方向延伸，并且其中第一氧化物界定区域位于第二氧化物界定区域和第三氧化物界定区域之间；以及多数个串联连接的单层多晶硅浮置栅极晶体管，设置在所述第一氧化物界定区域上；其中各所述串联连接的单层多晶硅浮置栅极晶体管包括沿一第二方向连续向所述第二氧化物界定区域延伸并与设置在所述第二氧化物界定区域中的一擦除栅极区域相邻的第一浮置栅极延伸部；其中各所述串联连接的单层多晶硅浮置栅极晶体管包括沿第二方向连续向所述第三氧化物界定区域延伸的第二浮置栅极延伸部，并且其中所述第二浮置栅极延伸部电容耦合到所述第三氧化物界定区域中的一控制栅极区域。