[发明专利]单电源域转多电源域及DDR接口参考电流的实现方法在审

专利信息
申请号: 201810862742.3 申请日: 2018-08-01
公开(公告)号: CN109087675A 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: 孔亮;刘亚东;桑建东;戴冬梅 申请(专利权)人: 灿芯半导体(上海)有限公司
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40
代理公司: 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙) 31289 代理人: 李晓星
地址: 201203 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了DDR接口用单电源域转换为多电源域的方法,在每相邻的CA区域和Data区域之间,放置用于切断电源与地的电源/地隔断单元。所述电源/地隔断单元为方向相反的二极管对。实现CA区域中时钟信号的低抖动噪声。本发明还公开了DDR接口参考电流的实现方法,将偏置电压换成偏置电流降低耦合噪声,提高信号接收器性能。
搜索关键词: 参考电流 多电源域 单电源 隔断 电源 信号接收器 二极管 方向相反 偏置电流 偏置电压 切断电源 时钟信号 耦合噪声 低抖动 域转换 噪声
【主权项】:
1.一种DDR接口用单电源域转换为多电源域的方法,其特征在于,在每相邻的CA区域和Data区域之间,放置用于切断电源与地的电源/地隔断单元。
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