[发明专利]基于非晶氮化物薄膜的宽谱光电探测器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于非晶氮化物薄膜的宽谱光电探测器件及其制备方法，所述光电探测器件包括顶电极、非晶氮化物半导体层、p型硅层以及底电极，其p型硅层与非晶氮化物半导体层构成异质结。其中非晶氮化物半导体层为非晶SnN_x层，其中，x＝0.8‑1.4。本发明采用具有宽光谱吸收特征的非晶态SnN_x薄膜材料，实现280～1150nm紫外‑可见‑近红外波段宽谱光电探测。其中350～1150nm波长范围内灵敏度超过100％。本发明的探测器在905nm响应度为32A/W，外量子效率为4000％；其器件的响应和下降时间分别为8和9ms。由此可见本探测器可用于光谱仪、成像器件，激光雷达等领域。

主权项

1.一种基于非晶氮化物薄膜的宽谱光电探测器件，其特征在于，其包括，底电极、p型硅衬底层、非晶氮化物半导体薄膜以及顶电极，所述p型硅衬底层与所述非晶氮化物半导体薄膜构成异质结，所述非晶氮化物半导体薄膜为非晶SnN_x，其中x＝0.8‑1.4。