[发明专利]一种提高减薄后的GaAs基LED晶片衬底与金属粘附性的方法

摘要

本发明涉及一种提高减薄后的GaAs基LED晶片衬底与金属粘附性的方法，包括：(1)GaAs衬底减薄；(2)GaAs衬底表面刮片：将晶片背面朝上放置在平整的台面上，刮除GaAs衬底表面较大的颗粒；(3)GaAs衬底表面物理处理：使用粘性膜贴附在GaAs衬底表面上，对GaAs衬底表面上的残渣碎屑进行粘附。(4)GaAs衬底表面化学腐蚀：将晶片放置在氨水、双氧水的混合溶液中进行加热超声腐蚀，腐蚀完成后依次进行冲水、干燥；(5)N电极制作、管芯切割：在晶片的GaAs衬底表面上制作N电极，并将管芯切割。本发明在不对晶片造成影响的条件下，彻底快速有效的去除了背面残渣碎屑，提高后续N电极制作的粘附性。

主权项

1.一种提高减薄后的GaAs基LED晶片衬底与金属粘附性的方法，其特征在于，所述GaAs基LED晶片包括由下自上如下依次生长的GaAs衬底、外延层、P电极，包括步骤如下：/n(1)所述GaAs衬底减薄：将所述GaAs衬底减薄至30-200μm；/n(2)所述GaAs衬底表面刮片：将步骤(1)制作完成的晶片，背面朝上放置在平整的台面上，刮除所述GaAs衬底表面颗粒，所述台面的温度为40-90℃；/n(3)所述GaAs衬底表面物理处理：将步骤(2)制作完成的晶片，背面朝上放置在平整的台面上，使用粘性膜贴附在所述GaAs衬底表面上，对所述GaAs衬底表面上的残渣碎屑进行粘附；/n(4)所述GaAs衬底表面化学腐蚀：将步骤(3)制作完成的晶片放置在氨水、双氧水的混合溶液中进行加热超声腐蚀，腐蚀完成后依次进行冲水、干燥；/n(5)N电极制作、管芯切割：在步骤(4)中制作完成的晶片的所述GaAs衬底表面上制作N电极，并将管芯切割，完成整个管芯制作；/n进一步优选的，所述步骤(3)中，粘附1-3次，每次使用新的粘性膜。/n