[发明专利]一种在导电基底上生长的钯-镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂及其制备方法、应用有效

专利信息
申请号: 201810824871.3 申请日: 2018-07-25
公开(公告)号: CN108993536B 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 李奇;于善武;孙嘉杰;白锋 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: B01J27/02 分类号: B01J27/02;B01J37/10;H01M4/90;C01B3/04
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 时立新
地址: 475001*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种在导电基底上生长的钯‑镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂及其制备方法,先将清洗干净的导电基底浸入镍钴生长液中,进行第一次釜热反应,然后浸入含硫化合物的水溶液中,进行第二次釜热反应,最后浸入钯源溶液中,进行第三次釜热反应,得到在导电基底上生长的钯‑镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂,钯‑镍钴硫复合纳米管阵列生长在导电基底表面,钯分布于镍钴硫纳米纳的表面;本发明还公开了该钯‑镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂在水分解制氢中的应用。本发明具有制备工艺简单、成本低、重现性好的特点,钯‑镍钴硫复合纳米管阵列原位生长于导电基底表面,钯‑镍钴硫与导电基底结合能力强,具有独特的纳米管阵列结构,电催化性能优异。
搜索关键词: 一种 导电 基底 生长 镍钴硫 复合 纳米 阵列 催化剂 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种在导电基底上生长的钯‑镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将含有镍盐、钴盐、尿素的水溶液作为镍钴生长液,将清洗干净的导电基底浸入镍钴生长液中,进行第一次釜热反应,反应后冷却至室温,经清洗、干燥,得到生长有镍钴化合物的导电基底;其中,镍钴生长液中Ni2+和Co2+的摩尔比为0.05~20:1,镍钴生长液中尿素的浓度为0.006~1.2 mol/L,第一次釜热反应的温度为100~200℃、时长为0.5~48小时;(2)将步骤(1)所得生长有镍钴化合物的导电基底浸入含硫化合物的水溶液中,进行第二次釜热反应,反应后冷却至室温,经清洗、干燥,得到生长有镍钴硫化合物的导电基底;其中,第二次釜热反应的温度为100~220℃、时长为0.5~48小时;(3)将步骤(2)所得生长有镍钴硫化合物的导电基底浸入钯源溶液中,进行第三次釜热反应,反应后冷却至室温,经清洗、干燥,即得;其中,第三次釜热反应的温度为100~220℃、时长为0.5~12小时。
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