[发明专利]一种在导电基底上生长的钯-镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂及其制备方法、应用

权利要求书

1.一种在导电基底上生长的钯-镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将含有镍盐、钴盐、尿素的水溶液作为镍钴生长液，将清洗干净的导电基底浸入镍钴生长液中，进行第一次釜热反应，反应后冷却至室温，经清洗、干燥，得到生长有镍钴化合物的导电基底；

其中，镍钴生长液中Ni²⁺和Co²⁺的摩尔比为0.05~20:1，镍钴生长液中尿素的浓度为0.006~1.2 mol/L，第一次釜热反应的温度为100~200℃、时长为0.5~48小时；

（2）将步骤（1）所得生长有镍钴化合物的导电基底浸入含硫化合物的水溶液中，进行第二次釜热反应，反应后冷却至室温，经清洗、干燥，得到生长有镍钴硫化合物的导电基底；

其中，第二次釜热反应的温度为100~220℃、时长为0.5~48小时；

（3）将步骤（2）所得生长有镍钴硫化合物的导电基底浸入钯源溶液中，进行第三次釜热反应，反应后冷却至室温，经清洗、干燥，即得；所述钯源溶液是将含钯化合物溶于有机溶剂而成；所述含钯化合物为氯化钯、硫酸钯、硝酸钯、氯钯酸钠及氯钯酸铵中的一种或两种以上，钯源溶液中含钯化合物的浓度不小于0.0003 mmol/L；所述有机溶剂为乙醇和甘油的混合溶液，有机溶剂是乙醇和甘油按照体积比为1~9:1混合而成；

其中，第三次釜热反应的温度为100~220℃、时长为0.5~12小时。

2.根据权利要求1所述在导电基底上生长的钯-镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述镍盐和钴盐的阴离子为NO₃^-、SO₄^2-、Cl^-及ClO₄^-中的一种或两种以上。

3.根据权利要求2所述在导电基底上生长的钯-镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂的制备方法，其特征在于：镍钴生长液中Ni²⁺的摩尔浓度为0.005~0.05 mol/L。

4.根据权利要求1所述在导电基底上生长的钯-镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述含硫化合物为硫化钠、硫代硫酸钠、过硫酸铵中一种或两种以上。

5.根据权利要求4所述在导电基底上生长的钯-镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂的制备方法，其特征在于：含硫化合物的水溶液的浓度为0.05~0.5 mol/L。

6.采用权利要求1至5任一所述方法制备得到在导电基底上生长的钯-镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂。

7.权利要求6所述在导电基底上生长的钯-镍钴硫复合纳米管阵列电催化剂在水分解制氢中的应用。