[发明专利]多层陶瓷电容器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810817643.3 申请日: 2018-07-24
公开(公告)号: CN109326442B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 猪又康之;河野泰久;天野美娜 申请(专利权)人: 太阳诱电株式会社
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30;H01G13/00
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;张燕
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请提供一种多层陶瓷电容器,包括:多层结构,其中多个陶瓷电介质层中的每一个和多个内部电极层中的每一个交替堆叠,多个内部电极层交替暴露于多层结构的第一边缘面和第二边缘面,其中,在覆盖多个内部电极层朝向第一边缘面和第二边缘面之外的两个侧面延伸的边缘部分的侧部边缘区域中,当Da是侧部边缘区域中距多个内部电极层边缘20μm内的主要组分陶瓷的平均粒径,并且Db是距侧部边缘区域的表面层20μm内的主要组分陶瓷的平均粒径时,满足1.5≤Db/Da≤10.0。
搜索关键词: 多层 陶瓷 电容器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种多层陶瓷电容器,包括:多层结构,其中,多个陶瓷电介质层中的每一个和多个内部电极层中的每一个交替堆叠,所述多个电介质层的主要组分是陶瓷,所述多层结构具有长方体形状,所述多个内部电极层交替暴露于所述多层结构的第一边缘面和第二边缘面,所述第一边缘面与所述第二边缘面相对,其中:在覆盖所述多个内部电极层朝向所述第一边缘面和所述第二边缘面之外的两个侧面延伸的边缘部分的侧部边缘区域中,当Da是所述侧部边缘区域中距所述多个内部电极层的边缘20μm内的主要组分陶瓷的平均粒径,并且Db是距所述侧部边缘区域的表面层20μm内的主要组分陶瓷的平均粒径时,满足1.5≤Db/Da≤10.0。
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