[发明专利]一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法有效
| 申请号： | 201810711064.0 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110676163B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 黄辉明;庄辉虎;罗骞;张杰;宋广华 | 申请（专利权）人： | 福建钜能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 351111 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，包括如下步骤：在n型硅片一面沉积薄层本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积薄层本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积导电膜层；在n型硅片n面与p面的四周及切割区域的导电膜层上印刷蚀刻膏；在印有蚀刻膏的n型硅片进行烘烤，清洗去除n型硅片上印有蚀刻膏区域的非晶硅层和导电膜层；在n型硅片导电膜层上形成金属栅线电极；在n型硅片切割区域用激光切割成若干均等的小片n型硅片。本发明采用印刷的方式在n型硅片的双面边缘及切割区域印刷蚀刻膏，将非晶硅层和导电膜层去除，提升异质结叠瓦太阳能电池的性能和可靠性，工艺过程简单，利于大规模自动化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结叠瓦 太阳能电池 切片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：/n在n型硅片一面沉积薄层本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积薄层本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积导电膜层；/n在n型硅片n面与p面的四周及切割区域的导电膜层上印刷蚀刻膏；/n在印有蚀刻膏的n型硅片进行烘烤，清洗去除n型硅片上印有蚀刻膏区域的非晶硅层和导电膜层；/n在n型硅片导电膜层上形成金属栅线电极；/n在n型硅片切割区域用激光切割成若干均等的小片n型硅片。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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