[发明专利]硅衬底的加工钝化保护方法在审
| 申请号： | 201810695944.3 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108878287A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李瑾;赵书平;王丰梅 | 申请（专利权）人： | 苏州研材微纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 南京思拓知识产权代理事务所(普通合伙) 32288 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 215121 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅衬底的加工钝化保护方法，其包括如下步骤：步骤1、提供待钝化保护的硅衬底，并在所述硅衬底上旋涂陶瓷前驱体溶液，待陶瓷前驱体溶液均匀涂覆在硅衬底上后，使得涂覆的陶瓷前驱体溶液固化在硅衬底上，以在硅衬底上形成陶瓷前驱体钝化保护层；步骤2、在陶瓷前驱体钝化保护层上制备微纳米图形，并利用具有微纳米图形的陶瓷前驱体钝化保护层作为掩膜，以对硅衬底进行刻蚀；步骤3、在对硅衬底刻蚀后，将硅衬底上的陶瓷前驱体钝化保护层去除。本发明制备工艺简单，致密性好，抗杂质扩散和水汽渗透能力强，能有效实现对硅衬底加工的钝化保护。 | ||
| 搜索关键词： | 硅衬底 陶瓷前驱体 钝化保护层 钝化保护 微纳米图形 刻蚀 加工 发明制备工艺 均匀涂覆 溶液固化 水汽渗透 有效实现 杂质扩散 致密性好 能力强 上旋 涂覆 掩膜 去除 制备 | ||
【主权项】：
1.一种硅衬底的加工钝化保护方法，其特征是，所述加工钝化保护方法包括如下步骤：步骤1、提供待钝化保护的硅衬底(1)，并在所述硅衬底(1)上旋涂陶瓷前驱体溶液，待陶瓷前驱体溶液均匀涂覆在硅衬底(1)上后，使得涂覆的陶瓷前驱体溶液固化在硅衬底(1)上，以在硅衬底(1)上形成陶瓷前驱体钝化保护层(2)；步骤2、在陶瓷前驱体钝化保护层(2)上制备微纳米图形(5)，并利用具有微纳米图形(5)的陶瓷前驱体钝化保护层(2)作为掩膜，以对硅衬底(1)进行刻蚀；步骤3、在对硅衬底(1)刻蚀后，将硅衬底(1)上的陶瓷前驱体钝化保护层(2)去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州研材微纳科技有限公司，未经苏州研材微纳科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810695944.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
