[发明专利]检测晶圆工作台平坦度的方法有效
申请号: | 201810672956.4 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN108766901B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 刘小虎;朱祎明 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B21/30 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种检测晶圆工作台平坦度的方法,包括:选用一检测晶圆置于标准的晶圆工作台上刻蚀第一层套刻图形;将刻蚀好第一层套刻图形的所述检测晶圆置于实际的晶圆工台上刻蚀第二层套刻图形;计算所述第二层套刻图形相对于所述第一层套刻图形的套刻精度;将计算到的套刻精度与一阈值进行比较,如果所述套刻精度超过所述阈值,则判断晶圆工作台平坦度不达标值。在本发明提供的检测晶圆工作台平坦度的方法中,通过量测晶圆的套刻精度,计算和记录套刻精度的值,通过判断套刻精度是否超出阈值来判断晶圆工作台是否需要清理。这种方法能测试晶圆工作台的平坦度,最终减少了因平坦度造成晶圆不良的几率。 | ||
搜索关键词: | 检测 工作台 平坦 方法 | ||
【主权项】:
1.一种检测晶圆工作台平坦度的方法,其特征在于,包括:选用一检测晶圆置于标准的晶圆工作台上刻蚀第一层套刻图形;将刻蚀好第一层套刻图形的所述检测晶圆置于实际的晶圆工台上刻蚀第二层套刻图形;计算所述第二层套刻图形相对于所述第一层套刻图形的套刻精度;将计算到的套刻精度与一阈值进行比较,如果所述套刻精度超过所述阈值,则判断晶圆工作台平坦度不达标。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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