[发明专利]碳纳米线阵列镶嵌在非晶碳薄膜中的碳纳米线/非晶碳复合膜及其制备有效
| 申请号： | 201810590512.6 | 申请日： | 2018-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN108660427B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李红轩;王伟奇;吉利;刘晓红;周惠娣;陈建敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所;兰州中科凯路润滑与防护技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用反应磁控溅射沉积技术制备碳纳米线/非晶碳复合薄膜的方法，是以具有催化效应的单金属靶为溅射靶材，以甲烷‑氩气的混合气体为反应气源，利用原位自形成法得到在非晶碳薄膜中镶嵌碳纳米线阵列的具有纳米复合结构的复合薄膜。该复合薄膜具有优异的机械性能，同时也具有良好的场发射性能和柔性，在柔性电子器件领域存在巨大潜在应用前景。本发明通过一步沉积法在非晶碳薄膜中原位自形成碳纳米线结构，其制备过程简单、成膜均匀、重复性好，能耗成本低，特别适用于工业生产中连续、大面积制备柔性场发射电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 镶嵌 非晶碳 薄膜 中的 复合 及其 制备 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米线/非晶碳复合膜，其特征在于：所述薄膜为碳纳米线阵列镶嵌在非晶碳薄膜中的纳米复合结构。
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