[发明专利]一种基于碳化硅PN结型β辐射伏特效应核电池在审

专利信息
申请号: 201810585576.7 申请日: 2018-06-08
公开(公告)号: CN110444313A 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 陆景彬;刘玉敏;许旭;何瑞;李潇祎;郑人洲 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: G21H1/06 分类号: G21H1/06;G21H1/02
代理公司: 长春市恒誉专利代理事务所(普通合伙) 22212 代理人: 李荣武
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明公开了一种基于碳化硅PN结型β辐射伏特效应核电池,其基本结构包括:纯β放射源、碳化硅PN结器件和电池外壳。利用微波等离子体化学气相沉积技术和离子注入技术制备碳化硅PN结结构,采用半导体微加工工艺和电子束蒸发镀膜技术生成欧姆接触电极,再将纯β放射源耦合加载到碳化硅PN结器件表面构成一种将纯β放射源的衰变能转化为电能的装置。本发明提供的技术方案简单,有利于实现具有能量转化效率高、输出性能稳定、工作时间长、抗辐照性能强的薄膜型β辐射伏特效应核电池,这种类型的核电池具有重要的应用价值。
搜索关键词: 碳化硅 核电池 放射源 伏特效应 辐射 微波等离子体化学气相沉积 电子束蒸发镀膜 半导体微加工 离子注入技术 能量转化效率 欧姆接触电极 衰变 抗辐照性能 电池外壳 输出性能 耦合 薄膜型 加载 制备 转化 应用
【主权项】:
1.一种基于碳化硅PN结型β辐射伏特效应核电池,其特征在于包括:纯β放射源(1),碳化硅PN结器件内部依次层叠设置为正面环形欧姆接触电极层(2)、二氧化硅钝化层(3)、P型低掺杂碳化硅层(4)、N型高掺杂碳化硅层(5)、单晶碳化硅衬底层(6)、背欧姆接触电极层(7),核电池外壳(8)和核电池外壳可拆卸部分(9)。
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