[发明专利]基于Pt衬底的外延取向铌酸锂薄膜及其生长方法有效
| 申请号： | 201810536490.5 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108441824B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 郑大怀;宋晓鹏;孔勇发;李文灿;贾龙飞;王烁琳;刘宏德;许京军 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/06;C23C14/58;C30B23/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于铁电薄膜生长方法领域，主要涉及同成分、掺镁和掺铁铌酸锂薄膜及其生长方法。选择(111)晶向Pt，简称Pt(111)，基片为衬底，选取提拉法生长的同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂单晶为靶材。利用脉冲激光沉积方法，制备高质量的(006)外延取向同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂薄膜。所述薄膜可应用于制备波导、微腔、传感器、探测器、电光调制器；所述方法操作简捷、易于纳米级高质量外延铌酸锂薄膜的生长，便于微观尺度铌酸锂薄膜铁电畴调控、为制作和研究铌酸锂薄膜器件奠定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂薄膜 掺铁 生长 外延取向 衬底 制备 脉冲激光沉积 电光调制器 提拉法生长 铌酸锂单晶 铁电薄膜 微观尺度 传感器 纳米级 铁电畴 探测器 靶材 波导 晶向 微腔 薄膜 调控 制作 应用 研究 | ||
【主权项】：
1.一种基于Pt(111)衬底的(006)外延取向铌酸锂薄膜，其特征为：衬底选择Pt(111)基片，靶材选取沿C轴提拉法生长的同成分或掺镁6.5mol％或掺铁8.0wt％铌酸锂单晶，薄膜表现出铌酸锂(006)和(0012)特征衍射峰，薄膜厚度为300nm～600nm，/n所述基于Pt(111)衬底的(006)外延取向铌酸锂薄膜采用如下生长方法，包括：采用脉冲激光沉积方法制备而成，控制靶材与衬底间距为5cm，衬底温度为680～700℃，激光功率为300-500mJ，生长过程氧压为30Pa，具体步骤如下：/n1)检查激光器、真空系统以及电柜控制系统等设备是否运行正常，将采用提拉法制得的铌酸锂单晶靶材放置在靶托；/n2)把用去离子水冲洗过的Pt(111)基片，依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水超声15-20min，然后使用高纯氮气吹干，放入生长室，开启激光器自检，使用机械泵和分子泵将生长室背底真空度抽至10
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