[发明专利]MOCVD系统及其清理方法有效
| 申请号： | 201810514998.5 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108588681B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 林理亮;陈伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/44;C30B25/10;C30B25/14;C23C16/18 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种MOCVD系统及其清理方法，MOCVD系统包括反应装置及加热装置，反应装置包括盖体，盖体上设置有喷淋用出源孔，盖体表面和/或出源孔内在反应过程中附着有堵塞物，加热装置加热盖体而使得堵塞物呈熔融状态。本发明的MOCVD系统通过加热装置使得堵塞物呈熔融状态，可以简化后续的堵塞物清理过程，从而提高MOCVD系统使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | mocvd 系统 及其 清理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOCVD系统，其特征在于，包括反应装置及加热装置，所述反应装置包括盖体，所述盖体上设置有喷淋用出源孔，所述盖体表面和/或所述出源孔内在反应过程中附着有堵塞物，所述加热装置加热所述盖体而使得所述堵塞物呈熔融状态。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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