[发明专利]一种镁铝硅系低热膨胀系数微晶玻璃材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810506958.6 申请日: 2018-05-24
公开(公告)号: CN108585517A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 李波;荆柯 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C03C10/08 分类号: C03C10/08
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电子陶瓷材料领域,具体提供一种镁铝硅系低热膨胀系数微晶玻璃材料及其制备方法,用以克服已有陶瓷材料存在的烧结温度高、热膨胀系数大、抗弯强度低、介电常数高,介质损耗高等问题;采用本发明组份及制备工艺能够制备出热膨胀系数低(1.0~2.0×10‑6/℃)、抗弯强度高(150~200MPa)、介电常数低(5.0~5.5@1MHz),介质损耗低(1.5~3.5×10‑3@1MHz)、绝缘可靠的低热膨胀系数微晶玻璃,满足LTCC电子封装基板材料的要求;同时,本发明能够实现低温烧结:900~950℃,且工艺简单、稳定性高、生产成本低,适合工业化批量生产。
搜索关键词: 低热膨胀系数 制备 微晶玻璃材料 热膨胀系数 介电常数 介质损耗 镁铝硅 抗弯 工业化批量生产 电子封装基板 电子陶瓷材料 生产成本低 低温烧结 陶瓷材料 微晶玻璃 制备工艺 烧结 组份 绝缘
【主权项】:
1.一种镁铝硅系低热膨胀系数微晶玻璃材料,主晶相为堇青石相,其特征在于,所述微晶玻璃材料按照质量百分比,由以下组分构成:MgO为10~20wt%、Al2O3为25~35wt%、SiO2为40~50wt%、B2O3为4wt%、ZrO2为5wt%、Cr2O3为1~5wt%。
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