[发明专利]TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板在审
| 申请号： | 201810488942.7 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108630711A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张瑞军;王松 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/268;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;鞠骁 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板。该TFT阵列基板的制作方法中在衬底基板上形成第一缓冲层，该第一缓冲层上设有多个弧形凸起或多个弧形凹陷，而后在形成于第一缓冲层上的第二缓冲层上形成非晶硅层，在对非晶硅层进行准分子激光退火以形成多晶硅层的过程中，弧形凸起或弧形凹陷能够对照射非晶硅层的激光的光路进行改变，从而在非晶硅层中形成能量梯度，使得形成的多晶硅层中的晶粒尺寸增加，晶界数量减少，提高TFT器件的载流子迁移率，提升TFT器件的电性。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅层 缓冲层 多晶硅层 弧形凹陷 弧形凸起 制作 准分子激光退火 载流子迁移率 晶粒 衬底基板 尺寸增加 能量梯度 数量减少 电性 光路 晶界 照射 激光 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板(10)；在所述衬底基板(10)上形成第一缓冲层(20)；所述第一缓冲层(20)上设有多个弧形凸起(21)或多个弧形凹陷(22)；在所述第一缓冲层(20)上形成第二缓冲层(30)；在所述第二缓冲层(30)上形成非晶硅层(41)，对所述非晶硅层(41)进行准分子激光退火，形成多晶硅层(42)；对所述多晶硅层(42)进行图案化，形成分别位于多个弧形凸起(21)或多个弧形凹陷(22)上方的多个有源层(43)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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