[发明专利]碳化硅涂层改性多壁碳纳米管增强硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810430212.1 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108503384B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 贾德昌;廖宁;杨治华;周玉;段小明;王胜金;何培刚;蔡德龙 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/515;C04B35/52;C04B35/583;C04B35/628;C04B35/83 |
| 代理公司： | 11473 北京隆源天恒知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 闫冬;吴航 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙;23 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅涂层改性多壁碳纳米管增强硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法，其方法在于，将硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉按摩尔比2:3:1加入高能球磨机中，在氩气保护下进行球磨，得到非晶硅硼碳氮粉末；将多壁碳纳米管用聚氮硅烷进行涂覆，烘干后在氩气保护下进行高温处理；将非晶硅硼碳氮粉末与碳化硅涂层改性多壁碳纳米管进行行星球磨得到分散均匀的混合粉体；将混合粉体进行放电等离子体烧结，得到碳化硅涂层改性多壁碳纳米管增强硅硼碳氮陶瓷复合材料，且此材料由体积分数95‑99份硅硼碳氮非晶粉末和1‑5份碳化硅涂层改性多壁碳纳米管组成，与现有技术比较，本发明制备的材料具有很好的抗氧化能力以及很高的强度和断裂韧性。 | ||
| 搜索关键词： | 改性多壁碳纳米管 碳化硅涂层 硅硼碳氮陶瓷 复合材料 制备 混合粉体 氩气保护 非晶硅 硼碳氮 放电等离子体烧结 六方氮化硼粉 高能球磨机 抗氧化能力 断裂韧性 非晶粉末 分散均匀 高温处理 体积分数 行星球磨 氮硅烷 石墨粉 碳纳米 烘干 多壁 硅粉 硅硼 球磨 碳氮 涂覆 按摩 | ||
【主权项】：
1.碳化硅涂层改性多壁碳纳米管增强硅硼碳氮陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于,其包括以下步骤：/n第一步：将硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉加入高能球磨机中，在氩气保护下进行球磨，球料质量比为15-25:1，磨球直径为8-12mm，得到非晶硅硼碳氮粉末，其中，所述硅粉、所述石墨和所述六方氮化硼三者的粒径均不大于20μm，所述非晶硅硼碳氮粉末中硅、碳、硼的摩尔比为2:3:1；/n第二步：将多壁碳纳米管用聚氮硅烷进行涂覆，烘干后在氩气保护下进行高温处理；/n第三步：按体积分数称取95-99份步骤1中得到的非晶硅硼碳氮粉末与1-5份步骤2得到的碳化硅涂层改性多壁碳纳米管，然后经行星球磨混合，球料质量比为15-25:1，磨球直径为8-12mm，无水乙醇为分散介质，得到分散均匀的混合粉体；/n第四步：将第三步得到的混合粉体进行放电等离子体烧结，得到碳化硅涂层改性多壁碳纳米管增强的硅硼碳氮陶瓷复合材料。/n
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- 2019-08-02 - 2019-11-19 - C04B35/80
- 本发明是一种氧化铝纤维增强氧化铝陶瓷基复合材料的制备方法，该方法首先将氧化铝纤维织物浸渍于PVA的乙醇溶液中，在其表面制备含碳涂层；然后将氧化铝陶瓷前驱体溶液与陶瓷粉体和烧结助剂粉体混合配制陶瓷料浆，再将料浆涂刷于表面已制备含碳涂层的氧化铝纤维织物表面制备氧化铝纤维预浸料，再通过预浸料的铺层、热压、烧结工艺过程获得氧化铝纤维增强氧化铝陶瓷基复合材料。在烧结过程中，含碳涂层氧化分解从而在纤维与基体间产生间隙型界面层。
- 一种梯度功能陶瓷的制备方法-201910874517.6
- 伍尚华;伍海东;许锐悦;林立甫 - 广东工业大学
- 2019-09-16 - 2019-11-19 - C04B35/80
- 本发明涉及陶瓷制备技术领域，尤其涉及一种梯度功能陶瓷的制备方法。本发明通过优化浆料及3D打印的工艺参数，尤其是优化浆料中陶瓷复合粉体中的烧结添加剂及3D打印的曝光能量，根据不同的浆料采用相应的曝光能量打印坯体，由3D打印所得坯体均匀且成型率高，由所述坯体在一定条件下脱脂烧结形成的陶瓷其变形性小，结构及尺寸精度高，层间粘结性好，密度和抗弯强度高。通过本发明方法制备的梯度功能陶瓷不仅成型效率高，成型尺寸精度高，而且结构可精确调控，实现功能化，并且可降低材料成本，提高生产效率。
- 一种在碳陶复合材料内部在线原位制备氧化硅晶须的方法-201711132310.9
- 冯锋;左新章;李建章;王义洪;王鹏;成来飞;刘梦珠 - 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司
- 2017-11-15 - 2019-11-15 - C04B35/80
- 本发明具体涉及一种在碳陶复合材料内部在线原位制备氧化硅晶须的方法，主要解决了现有方法制备纳米二氧化硅所需的环境温度高、需要有加热过程、反应气体流量大、不适合在陶瓷基复合材料内部反应的问题。方法包括以下步骤：1)将碳化硅陶瓷基复合材料放入化学气相沉积炉内，炉内温度在900～1100℃；2)将制备碳化硅陶瓷基体的先驱体气体与空气的混合气体引入沉积炉内发生反应；3)陶瓷基复合材料内部在线原位形成氧化硅晶须。本发明方法所需环境温度低、反应气体流量小，可有效降低成本。
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