[发明专利]锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及柔性器件领域，为制备一种基于柔性PEN衬底的多沟道结构的锗纳米膜晶体管，能够极大丰富电路元器件的用处，降低生产成本，为此，本发明锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管及其制造方法，PEN塑料衬底之上依次为氧化铟锡ITO薄膜、氧化锌栅介质层，氧化铟锡ITO薄膜上设置有N型源掺杂区从而形成两个ITO源电极，两个ITO源电极之间依次为未参杂区、N型漏掺杂区形成的ITO漏电极，在所述未参杂区上方是ITO沉积在氧化锌栅介质层形成的顶栅电极，氧化铟锡ITO薄膜经通孔引出有ITO底栅电极。本发明主要应用于柔性器件的设计制造。

主权项

1.一种锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管的制造方法，其特征是，采用磁控溅射工艺在PEN衬底上镀上ITO以及氧化锌栅介质膜，随后采用光刻形成图案以及离子注入的方式形成掺杂区，采用光刻以及离子刻蚀的方式形成方孔层，采用湿法HF刻蚀的方式形成锗纳米膜层，通过转移在PEN衬底上形成锗纳米膜，最后通过光刻以及磁控溅射的方式分别形成顶部氧化锌栅极介质层与源漏栅极透明电极层，完成晶体管的制备。