[发明专利]一种紫外光响应器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810398413.8 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108493290B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 于乃森;陈向丰;齐岩;赵海燕;董大朋;苑青 | 申请（专利权）人： | 大连民族大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 大连一通专利代理事务所(普通合伙) 21233 | 代理人： | 郭丽华 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种基于MgO纳米材料/A面氮化镓结构的紫外光响应器件，其是在R面蓝宝石衬底与正面透明接触电极之间设有基于MgO纳米材料/A面GaN核壳阵列结构层，该核壳阵列结构层从R面蓝宝石衬底至正面透明接触电极依次设有低温GaN缓冲层、A面GaN外延层薄膜、氧化镁/氧化镓复合籽晶层和MgO纳米材料层。本发明以R面蓝宝石为衬底，其A‑GaN结构层是采用低压有机化学气相沉积方法依次生长低温GaN缓冲层及A‑GaN外延层，纳米MgO结构层则是采用乙酸镁和六次甲基四胺为原料，生长氧化镁前驱体结构并加热获得的。本发明制备方法简单、反应温度低并且制备出的产品对紫外光300‑400nm有着非常好的光响应，特别是具有非常快的光响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外光 响应 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于MgO纳米材料/A面氮化镓结构的紫外光响应器件，其特征在于：其是在R面蓝宝石衬底与正面透明接触电极之间设有基于MgO纳米材料/A面GaN核壳阵列结构层，该核壳阵列结构层从R面蓝宝石衬底至正面透明接触电极依次设有低温GaN缓冲层、A面GaN外延层薄膜、氧化镁/氧化镓复合籽晶层和MgO纳米材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
