[发明专利]一种硅晶圆划片加工方法在审
| 申请号： | 201810395246.1 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN110405542A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 刘晓玲 | 申请（专利权）人： | 刘晓玲 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B19/22 |
| 代理公司： | 福州科扬专利事务所 35001 | 代理人： | 何小星 |
| 地址： | 350800 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅晶圆划片加工方法，包括依次进行的如下步骤：步骤一：使用激光在硅晶圆背面标刻十字图形，激光波长1064nm，功率3W，速度200mm/s，划槽宽度25μm，划槽深度5μm；步骤二：使用砂轮划片机从硅晶圆的正面切割道进行划片，速度50mm/s，划槽宽度26μm，划槽深度20μm；步骤三：以激光标刻的十字图形为参考对位，使用砂轮划片机从硅晶圆的背面划片，速度25mm/s，划槽宽度26μm，完全划透晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 划槽 砂轮 划片加工 十字图形 划片机 划片 背面 激光标刻 激光波长 切割道 标刻 对位 晶圆 激光 参考 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆划片加工方法，其特征在于：包括依次进行的如下步骤：步骤一：使用激光在硅晶圆背面标刻十字图形，激光波长1064nm，功率3W，速度200mm/s，划槽宽度25μm，划槽深度5μm；步骤二：使用砂轮划片机从硅晶圆的正面切割道进行划片，速度50mm/s，划槽宽度26μm，划槽深度20μm；步骤三：以激光标刻的十字图形为参考对位，使用砂轮划片机从硅晶圆的背面划片，速度25mm/s，划槽宽度26μm，完全划透晶圆。
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