[发明专利]一种获取保持环的最佳工艺参数的方法在审
| 申请号： | 201810385163.4 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108614937A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 刘建云;陈岚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种获取保持环的最佳工艺参数的方法，包括：建立化学机械研磨系统的有限元分析模型，包括抛光垫、晶圆、设置在晶圆外围的保持环、以一定的压力将晶圆和保持环压在抛光垫上的夹持器；确定分析模型的边界条件，并将抛光垫、晶圆、夹持器和保持环的材料参数代入分析模型；将不同组的保持环的工艺参数分别代入分析模型，并计算出每一组的保持环工艺参数下晶圆的表面等效应力分布结果；对比所有组的表面等效应力分布结果，获得使晶圆边缘的应力峰值最小的一组工艺参数，从而可以对实际生产中所需确定的保持环工艺参数进行指导，以避免晶圆边缘的应力集中现象，最大程度的降低晶圆边缘的过度磨损，进而可以提高晶圆的抛光精度和利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 分析模型 晶圆边缘 抛光垫 最佳工艺参数 应力分布 夹持器 化学机械研磨系统 应力集中现象 边界条件 材料参数 过度磨损 抛光 环压 外围 生产 | ||
【主权项】：
1.一种获取保持环的最佳工艺参数的方法，其特征在于，包括：建立化学机械研磨系统的有限元分析模型，所述分析模型包括抛光垫、晶圆、设置在所述晶圆外围的保持环、以一定的压力将所述晶圆和所述保持环压在所述抛光垫上的夹持器；确定所述分析模型的边界条件，并将所述抛光垫、所述晶圆、所述夹持器和所述保持环的材料参数代入所述分析模型；将不同组的所述保持环的工艺参数分别代入所述分析模型，并计算出每一组的保持环工艺参数下所述晶圆的表面等效应力分布结果；对比所有组的所述表面等效应力分布结果，获得使所述晶圆边缘的应力峰值最小的一组工艺参数。
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