[发明专利]竖向延伸的存储器单元串以及形成竖向延伸的存储器单元串的方法

摘要

本申请是针对竖向延伸的存储器单元串以及形成竖向延伸的存储器单元串的方法。所述方法包括形成在竖向方向上处于上部堆叠与下部堆叠之间的介入结构，所述上部堆叠和所述下部堆叠分别包括有包括不同组分材料的交替层。所述介入结构被形成为包括竖向延伸的掺杂剂扩散阻挡层和横向中央材料，所述横向中央材料在所述掺杂剂扩散阻挡层的横向内侧且其中具有掺杂剂。所述掺杂剂中的一些从所述横向中央材料热扩散到上部堆叠沟道材料中。在所述热扩散期间使用所述掺杂剂扩散阻挡层，以使得相比于所述掺杂剂扩散到下部堆叠沟道材料中(若存在)，所述掺杂剂更多地热扩散到所述上部堆叠沟道材料中。本发明公开包含与方法无关的结构的其它实施例。

主权项

1.一种方法，其为形成竖向延伸的存储器单元串的方法的一部分，所述方法包括：形成在竖向方向上处于上部堆叠与下部堆叠之间的介入结构，所述上部堆叠和所述下部堆叠分别包括有包括不同组分材料的交替层，所述介入结构被形成为包括竖向延伸的掺杂剂扩散阻挡层和横向中央材料，所述横向中央材料在所述掺杂剂扩散阻挡层的横向内侧且其中具有掺杂剂；以及使所述掺杂剂中的一些从所述横向中央材料热扩散到上部堆叠沟道材料中，在所述热扩散期间使用所述掺杂剂扩散阻挡层，以使得相比于所述掺杂剂扩散到下部堆叠沟道材料中(若存在)，所述掺杂剂更多地热扩散到所述上部堆叠沟道材料中。