[发明专利]工艺腔、工艺腔的加热控制方法及装置在审
| 申请号： | 201810367695.5 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108376662A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 金子玉;张寅;卫福强 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G05D23/24 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人： | 张俊国 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开是关于一种工艺腔、工艺腔的加热控制方法及装置，该工艺腔，包括：加热部，位于所述工艺腔底部，包括：加热板；N个加热器件，位于所述加热板下方，所述N个加热器件分别对所述加热板上表面分布的N个加热区域加热，所述N为大于等于1的整数；测温部，位于所述工艺腔的侧壁上，用于测量所述加热板上表面分布的N个加热区域的N个感应温度；控制器，连接所述测温部和所述加热部，根据所述测温部测量出的N个感应温度，控制所述N个加热器件各自的加热功率。该技术方案可以避免温差过大导致的加热器件受热不均变形，甚至断裂；可以保证对待处理物品的真实加热均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺腔 加热器件 测温部 加热板上表面 加热控制 加热区域 加热板 加热部 测量 加热均匀性 加热功率 受热不均 控制器 侧壁 加热 温差 断裂 变形 保证 | ||
【主权项】：
1.一种工艺腔，其特征在于，包括：加热部，位于所述工艺腔底部，包括：加热板；N个加热器件，位于所述加热板下方，所述N个加热器件分别对所述加热板上表面分布的N个加热区域加热，所述N为大于等于1的整数；测温部，位于所述工艺腔的侧壁上，用于测量所述加热板上表面分布的N个加热区域的N个感应温度；控制器，连接所述测温部和所述加热部，根据所述测温部测量出的N个感应温度，控制所述N个加热器件各自的加热功率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，未经北京铂阳顶荣光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810367695.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
