[发明专利]转移载板与晶粒载板有效
| 申请号： | 201810348132.1 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110391165B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 赖育弘;林子旸;李允立 | 申请（专利权）人： | 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京先进知识产权代理有限公司 11648 | 代理人： | 赵志显;张觐 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种转移载板，用以转移一第一基板上的多个微型元件至一第二基板。此转移载板包括一基板与多个转移件。该些转移件间隔设置于该基板的一上表面。每一转移件具有相对的一第一表面与一第二表面。该些转移件以第一表面接触此基板。其中，该基板的热膨胀系数与该些转移件的热膨胀系数不相同，该些转移件的热膨胀系数与该些微型元件的热膨胀系数的差值小于该基板的热膨胀系数与该些转移件的热膨胀系数的差值。本发明还公开一种晶粒载板。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 晶粒 | ||
【主权项】：
1.一种转移载板，用以转移一第一基板上的多个微型元件至一第二基板，其特征在于，该转移载板包括：一基板，具有一上表面；以及多个转移件，设置于该基板的上表面，每一该转移件具有相对的一第一表面与一第二表面，该些转移件分别以该些第一表面接触该基板；其中，该基板的热膨胀系数与该些转移件的热膨胀系数不相同，该些转移件的热膨胀系数与该些微型元件的热膨胀系数的差值小于该基板的热膨胀系数与每一该转移件的热膨胀系数的差值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
