[发明专利]一种新型背腐蚀刻边工艺

摘要

本发明公开的属于太阳能电池技术领域，具体为一种新型背腐蚀刻边工艺，该新型背腐蚀刻边工艺包括如下步骤：S1：制绒：对晶硅片表面进行预清洗并干燥，然后采用酸液对晶硅片进行腐蚀，将多晶表面做成凹坑状，得到陷光性能良好的绒面；S2：扩散；S3：背腐蚀；S4：镀减反射膜：在晶硅片的表面采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积减反射膜；S5：丝网印刷金属化；S6：烧结：把晶硅片放入烧结炉中，烧结温度控制在300‑900摄氏度，烧结时间为58‑62秒，S7：分类检测、测试、包装，提高了电池的效率，节省了化学原料，边缘无刻边，背面腐蚀均匀，避免气泡和腐蚀不均匀带来的影响，大大降低了破片率，工艺简单，成本低廉。

主权项

1.一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：该新型背腐蚀刻边工艺包括如下步骤：S1：制绒：对晶硅片表面进行预清洗并干燥，然后采用酸液对晶硅片进行腐蚀，将多晶表面做成凹坑状，得到陷光性能良好的绒面；S2：扩散：将磷化物掺入晶硅片的表面，并使得磷原子扩散；S3：背腐蚀：让扩散后的晶硅片带有PN结的那一面朝上，通过滚轮带混合酸的方式去除扩散后晶硅片周边的PN结；S4：镀减反射膜：在晶硅片的表面采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积减反射膜；S5：丝网印刷金属化：用丝网印刷的方法在晶硅片的背面和正面印上背电极、背电场、正电极，形成有效的点成和引出电极；S6：烧结：把晶硅片放入烧结炉中，烧结温度控制在300‑900摄氏度，烧结时间为58‑62秒；S7：分类检测、测试、包装。