[发明专利]一种基于碳化硅单晶的X射线探测器及其制备方法

摘要

本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于碳化硅单晶的X射线探测器及其制备方法。该探测器主要包括：高阻碳化硅单晶、高电子浓度n型碳化硅层、低电子浓度n型碳化硅层、高空穴浓度p型碳化硅层、低空穴浓度p型碳化硅层、二氧化硅保护层、p型碳化硅欧姆接触电极、n型碳化硅欧姆接触电极、和金引线电极。本发明提出一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能X射线探测器的制备难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。

主权项

1.一种基于碳化硅单晶的X射线探测器，其特征在于，所述的基于碳化硅单晶的X射线探测器包括高阻碳化硅单晶1、高电子浓度n型碳化硅层2、低电子浓度n型碳化硅层3、高空穴浓度p型碳化硅层4、低空穴浓度p型碳化硅层5、二氧化硅保护层6、p型碳化硅欧姆接触电极7、n型碳化硅欧姆接触电极8和金引线电极9；所述的高阻碳化硅单晶1为主体结构；所述的高电子浓度n型碳化硅层2嵌入至高阻碳化硅单晶1的上表面，二者的上表面平齐；所述的低电子浓度n型碳化硅层3围绕高电子浓度n型碳化硅层2布置；所述的二氧化硅保护层6围绕n型碳化硅欧姆接触电极8布置周围，整体覆盖在高阻碳化硅单晶1的上表面；所述的两个金引线电极9位于氧化硅保护层6和n型碳化硅欧姆接触电极8交界处的上表面；所述的高空穴浓度p型碳化硅层4嵌入至高阻碳化硅单晶1的下表面，二者的上表面平齐；所述的低空穴浓度p型碳化硅层5围绕高空穴浓度p型碳化硅层4布置；所述的p型碳化硅欧姆接触电极7为倒置的T型，顶部与高空穴浓度p型碳化硅层4接触；所述的低空穴浓度p型碳化硅层5和p型碳化硅欧姆接触电极7之间的空隙填充有二氧化硅保护层6，将高阻碳化硅单晶1的下表面全部覆盖。