[发明专利]一种硅片清洗液、清洗设备及清洗工艺在审
| 申请号： | 201810332695.1 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108441353A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王冬雪;王永青;崔伟;郝勇;侯建明;张宇鹏;刘茂峰;李娜;赵越 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/06 | 分类号： | C11D7/06;C11D3/39;C11D7/60;B08B3/12;B08B3/08 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片清洗液，包括浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，氢氧化钾溶液与双氧水溶液的体积比为1:1.05‑1:7.25，一种硅片清洗设备，包括：超声清洗部：用于清除颗粒的硅粉；药液清洗部：用于清除油脂、金属离子和有机物杂质；第一漂洗部：用于清除硅片表面残留的药液；清洗液清洗部：用于清除有机物，利用硅片清洗液；第二漂洗部：用于清除硅片表面残留的清洗液；慢提拉部：用于清除硅片表面的水分，使硅片表面不留水印，一种根据清洗设备的硅片清洗工艺。本发明的有益效果是改善了硅片表面的清洗效果，提高清洗效率和清洗质量，节约清洗成本，通过检验脏片率明显降低，制绒后，硅片绒面均匀且无脏污。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片表面 硅片清洗液 氢氧化钾溶液 清洗 双氧水溶液 清洗设备 清洗液 漂洗 残留 硅片清洗设备 有机物杂质 超声清洗 硅片清洗 金属离子 清洗工艺 清洗效果 清洗效率 药液清洗 提拉部 体积比 有机物 硅片 硅粉 绒面 水印 脏污 制绒 节约 检验 | ||
【主权项】：
1.一种硅片清洗液，其特征在于：包括浓度为45％的氢氧化钾溶液和浓度为31％的双氧水溶液，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1:1.05‑1:7.25。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古中环光伏材料有限公司，未经内蒙古中环光伏材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810332695.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：去渍洗涤剂
- 下一篇：电解金属镁工艺陶瓷膜过滤设备专业清洗剂
