[发明专利]多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件有效
| 申请号： | 201810324504.7 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108305923B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 渡边守道;吉川润;仓冈義孝;七泷努 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/32;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件，由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 氮化 自立 使用 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种多晶氮化镓自立基板，由在所述基板的大致法线方向沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成，其中，基板表面的利用电子背散射衍射法亦即EBSD的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°，规定为所述多晶氮化镓自立基板的厚度T与在所述多晶氮化镓自立基板的表面露出的所述氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT之比的纵横尺寸比T/DT为0.7以上。
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