[发明专利]一种氮化物薄膜太阳能电池在审
申请号: | 201810316588.X | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN110364586A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 马亮 | 申请(专利权)人: | 北京创昱科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/056 | 分类号: | H01L31/056;H01L31/0352;H01L31/0445 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王文君;王文红 |
地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种氮化物薄膜太阳能电池,包括衬底、非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层、p型掺杂层;在衬底上从下向上设置非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层和p型掺杂层,n型掺杂层的边缘区域为台面,在台面上设置有n型欧姆电极,p型掺杂层上设置有p型欧姆电极。本发明采用的DBR结构具有高反射率波段可调的特性。通过调整DBR结构中高、低折射率层的氮化物组分、厚度和周期数来调节高反射率波段位置,实现高反射率波段与电池光谱响应曲线的一致、协调;亦即,将高反射率波段调整到与太阳能电池处于高量子效率的波段一致的位置。如此,可使器件的效率实现最大化。 | ||
搜索关键词: | 高反射率 太阳能电池 波段 布拉格反射镜 氮化物薄膜 多量子阱层 非掺杂层 非掺杂 衬底 电池光谱响应 低折射率层 高量子效率 边缘区域 波段调整 波段位置 向上设置 效率实现 台面 氮化物 可调的 周期数 最大化 协调 | ||
【主权项】:
1.一种氮化物薄膜太阳能电池,其特征在于,包括衬底、非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层、p型掺杂层;在所述衬底上从下向上依次设置所述非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层和p型掺杂层,所述n型掺杂层的边缘区域为台面,在台面上设置有n型欧姆电极;在所述p型掺杂层上设置有p型欧姆电极。
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- 2014-06-12 - 2014-12-24 - H01L31/056
- 本发明公开受光元件模块及其制造方法。本发明得到在连接了多个受光元件的受光元件模块中针对设置面积的光电转换效率优良的受光元件模块。将在背面侧具有第1及第2电极的背面连接型的受光元件(10a~10f)通过具备板状的主体部(32)和元件间连接部(31)的元件间连接体(30)进行连接并构成受光元件模块(1)。该主体部(32)对第1电极选择性地直接连接,并且在第2电极中隔着绝缘层配置,除了第2电极的一部分以外,覆盖受光元件(10a~10f)的背面侧的大致整体。第2电极与元件间连接部(31)连接。而且,主体部在受光元件之间构成反射部,构成为反射光能够从第1及第2电极的间隙入射到受光元件(10a~10f)。
- 用于厚壁管的配件及其制造方法-201080006574.X
- 许佳平;蒋方丹;金浩;陈康平 - 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
- 2014-09-05 - 2014-12-10 - H01L31/056
- 本实用新型公开了一种具有全背面铝导电反射器的晶体硅太阳电池,包括正面电极、SiN减反射膜、N型扩散层、P型基底、背面场、铝导电膜和背面电极,所述P型基底表面为平面,所述P型基底表面通过PVD沉积一层铝导电膜,所述铝导电膜全覆盖于P型基底表面,所述铝导电膜厚度为100nm~2um,所述铝导电膜和背面电极组成全背面铝导电反射器。本实用新型大大增加了具有场钝化效果的背面场的面积,能够将晶体硅太阳电池的转换效率提高0.1个百分点以上。
- N型光伏组件-201420205068.9
- 余俊浒;戴成华 - 苏州盛康光伏科技有限公司
- 2014-04-25 - 2014-10-29 - H01L31/056
- 本实用新型公开了一种N型光伏组件,包括电池片、背板、热熔胶膜(EVA)、光伏玻璃,其特征在于,所述电池片间距为5~10mm,串间距为5~15mm,所述背板相对于电池板间距和串间距的位置设有反光板。实用新型可对N型电池背面发电加以利用,对整个组件功率有明显提高,提高大约3~8%。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的