[发明专利]一种蚀刻装置控制方法和系统有效
| 申请号： | 201810215114.6 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108470693B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 许孟凯;王嘉伟;黄建顺;陈胜男;林张鸿;林豪;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 351117 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种蚀刻装置控制方法和系统，应用于蚀刻装置内，包括如下步骤：控制循环洁净单元将溶液由溢流槽抽到反应槽底部的入射单元；控制机械手臂移动晶舟到反应槽内；在达到制程结束前的预设时间时，控制循环洁净单元将溶液由反应槽底部抽到喷淋单元；在制程结束时控制机械手臂将晶舟从反应槽内移出。上述技术方案通过循环洁净单元抽取反应槽内的溶液，并在过滤洁净后对反应后的晶圆进行冲刷，避免晶圆上的反应物残留，进而提高化学蚀刻的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 反应槽 洁净单元 蚀刻装置 机械手臂 控制循环 晶圆 晶舟 制程 化学蚀刻 入射单元 反应物 溢流槽 冲刷 喷淋 移出 预设 抽取 过滤 残留 洁净 移动 应用 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻装置控制方法，应用于蚀刻装置内，其特征在于，包括如下步骤：控制循环洁净单元将溶液由溢流槽抽到反应槽底部的入射单元；控制机械手臂移动晶舟到反应槽内；在达到制程结束前的预设时间时，控制循环洁净单元将溶液由反应槽底部抽到喷淋单元，循环洁净单元将溶液由反应槽底部抽到喷淋单元的过程中，溶液经过循环洁净单元内部的过滤单元的过滤；在制程结束时控制机械手臂将晶舟从反应槽内移出；喷淋单元的喷淋方向指向反应槽的槽口，使得晶舟中的晶圆从反应槽吊出时经过喷淋单元，而被喷淋单元的溶液冲刷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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