[发明专利]平板探测器基板及其制备方法、平板探测器

摘要

本发明提供一种平板探测器基板及其制备方法、平板探测器，属于传感器制造技术领域，其可解决现有的X射线平板探测器的阵列基板制备过程中，刻蚀半导体层时容易对光电二极管的第一极造成过刻的问题。本发明的平板探测器基板的制备方法包括：通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形；在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层，并通过构图工艺形成，包括刻蚀阻挡层、以及所述光电二极管的半导体层的图形；其中，所述刻蚀阻挡层的材料包括金属氧化物。

主权项

1.一种平板探测器基板的制备方法，其特征在于，包括：通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形；在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层；在沉积有半导体材料层的基底上，通过构图工艺形成包括所述光电二极管的半导体层的图形；通过构图工艺形成包括刻蚀阻挡层的图形；其中，所述刻蚀阻挡层的材料包括金属氧化物；在所述通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形的步骤之前，还包括：在形成有薄膜晶体管的源极和漏极的基底上形成钝化层，并在所述钝化层与所述漏极对应的位置形成第一过孔；所述光电二极管的第一极通过所述第一过孔与所述漏极连接。