[发明专利]半导体元件的驱动装置有效

专利信息
申请号: 201810182900.0 申请日: 2018-03-06
公开(公告)号: CN108809059B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 皆川启 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H03K17/0814;H03K17/567
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种能够加快例如由IGBT形成的半导体元件导通时的过电流的检测速度、并且减少半导体元件短路时的过电流的半导体元件的驱动装置。具备:过电流检测电路,其将由将流过半导体元件的电流变换为电压来进行检测的电流检测电路检测出的电流检测电压与过电流检测阈值电压进行比较,来检测流过半导体元件的过电流;保护电路,其在检测出过电流时对所述半导体元件的接通断开驱动进行控制来防止所述半导体元件的热破坏;以及栅极电压检测电路,其在所述半导体元件的栅极电压低于基准电压时将所述过电流检测阈值电压设定为第一阈值电压,在栅极电压高于基准电压时将所述过电流检测阈值电压设定为低于第一阈值电压的第二阈值电压。
搜索关键词: 半导体 元件 驱动 装置
【主权项】:
1.一种半导体元件的驱动装置,对电压控制型的半导体元件进行接通断开驱动,该半导体元件的驱动装置的特征在于,具备:电流检测电路,其将流过所述半导体元件的电流变换为电压来进行检测;过电流检测电路,其将由该电流检测电路检测出的电流检测电压与规定的过电流检测阈值电压进行比较来检测流过所述半导体元件的过电流;保护电路,其在该过电流检测电路检测出过电流时对所述半导体元件的接通断开驱动进行控制来防止所述半导体元件的热破坏;以及栅极电压检测电路,其根据所述半导体元件的栅极电压来将所述过电流检测阈值电压选择性地切换为第一阈值电压或低于第一阈值电压的第二阈值电压。
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