[发明专利]一种二硒化锡薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810175981.1 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110218970B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王巍;杨春雷;李伟民;钟国华;李文杰;冯叶;童君;隋帆 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硒化锡薄膜的制备方法，包括步骤：S1、提供一个基片，将所述基片置入分子束外延设备中；S2、向所述分子束外延设备中分别加入硒源和锡源，通过所述分子束外延设备分别加热所述硒源和锡源，并将所述硒源和锡源分别以分子束或原子束的形式喷射至所述基片上，形成二硒化锡薄膜。本发明利用了分子束外延工艺对生长产物可控的特点，实现了可控地制备出如片状等特定形貌结构的二硒化锡薄膜。且相对于化学气相沉积法，本发明利用分子束外延工艺的制备方法的操作更简单，制备二硒化锡薄膜所需的时长相对较短，有利于二硒化锡薄膜的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硒化锡 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二硒化锡薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、提供一个基片，将所述基片置入分子束外延设备中；S2、向所述分子束外延设备中分别加入硒源和锡源，通过所述分子束外延设备分别加热所述硒源和锡源，并将所述硒源和锡源分别以分子束或原子束喷射至所述基片上，形成二硒化锡薄膜。
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