[发明专利]基于杂化泛函计算β-三氧化二镓电荷转移的方法

摘要

基于杂化泛函计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法，本发明涉及计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法。本发明目的是为了解决现有基于杂化泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低的问题。过程为：得到β‑Ga2O3的晶格参数和禁带宽度；得到β‑Ga2O3能量最低点的晶格参数和禁带宽度；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；计算含有缺陷的β‑Ga2O3的电子在空间中的分布；通过VESTA软件读取A和B，并对二者在电子在空间中的分布做差，得到差分电荷。本发明用于计算β‑Ga2O3电荷转移的领域。

主权项

1.基于杂化泛函计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法，其特征在于：所述方法具体过程为：步骤一：采用FINDIT软件查找β‑Ga₂O₃的晶格参数，得到β‑Ga₂O₃的晶格参数实验结果为α＝90°，β＝103.7°，γ＝90°；a为晶格的单胞边长参数，b为晶格的单胞边长参数，c为晶格的单胞边长参数，α、β、γ为晶格的单胞三个角度参数；β‑Ga2O3的晶格的禁带宽度为4.5‑5.0eV；步骤二：采用VASP软件对β‑Ga₂O₃的晶格参数进行优化，得到β‑Ga₂O₃能量最低点的晶格参数模拟结果为α＝90°，β＝103.67°，γ＝90°；通过杂化泛函方法，得到β‑Ga2O3能量最低点的晶格的能带图，禁带宽度为4.86eV；得到模拟结果和实验结果一致；得到1×1×1的β‑Ga2O3单胞的结构，结构包括晶格参数和原子位置；步骤三：根据步骤二的得到的β‑Ga2O3能量最低点的晶格参数，将晶胞扩大到1×3×3的超胞，1×3×3的超胞包含240个原子；通过删除超胞不同位置的氧原子来引入氧缺陷，得到带有缺陷的超胞；优化超胞原子相应的位置，得到能量最低点的晶格；A为根据得到的能量最低点的晶格，计算带有缺陷不带电的电荷的超胞电子在空间中的分布；B为得到的带有缺陷且带电的电子在空间中的分布；通过VESTA软件读取A和B，并对二者在电子在空间中的分布做差，得到差分电荷。