[发明专利]用于多层磁性材料的改良式晶种层有效
| 申请号： | 201810124824.8 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN108182958B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 诺真·杰;童儒颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01F10/30;H01F10/32;H01F41/30;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01F10/12 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁性元件，其中揭露一种如氮化钽/镁复合式晶种层以增强垂直磁异向性于覆盖式磁性层，其可为参考层、自由层或是偶极层。晶种层由一单一层所形成，晶种层为一合金，其包含钽(Ta)、锆(Zr)、铌(Nb)、氮化钽(TaN)、氮化锆(ZrN)、氮化铌(NbN)及钌(Ru)之一，以及镁(Mg)、锶(Sr)、钛(Ti)、铝(Al)、钒(V)、铪(Hf)、硼(B)、硅(Si)、镁锆(MgZr)及镁铌(MgNb)之一，由镍镉或其合金所制成的成长促进层可插入在晶种层及磁性层间，磁性元件具有至少400℃的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多层 磁性材料 改良 式晶种层 | ||
【主权项】：
1.一种磁性元件，其包括：(a)一晶种层，其由一单一层所形成的合金，该合金包含锆、铌、氮化钽、氮化锆或氮化铌之一与镁、锶、铝、钒、铪、硼、硅、镁锆或镁铌之一，该晶种层及一磁性层形成一第一界面；(b)该磁性层具有CoXFeYNiZBV合成物，当中的y>x+z，而v是15～40的原子百分比％，及v+x+y+z＝100的原子百分比；及(c)一通道阻障层，包括氧化镁或另一氧化物，其促使界面垂直异向性于第二界面的磁性层上，上述各层形成一晶种层/磁性层/通道阻障层堆叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810124824.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
