[发明专利]一种硅基吸收型电光调制器及提高调制效率的方法在审
| 申请号： | 201810100488.3 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN110109266A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李冰;李营营 | 申请（专利权）人： | 上海硅通半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅;林高锋 |
| 地址： | 200438 上海市杨浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种硅基吸收型电光调制器。硅基吸收型电光调制器包括硅衬底；形成在硅衬底上的埋氧层；形成在埋氧层上的光波导；所述光波导具有一个或多个轻掺杂区，所述轻掺杂区包括掺杂N型杂质的N型轻掺杂区和掺杂P型杂区的P型轻掺杂区，其中所述N型轻掺杂区与所述P型轻掺杂区重叠。通过在波导区掺入杂质，降低载流子迁移率，从而提高吸收系数。通过在波导区同时掺入N型杂质和P型杂质，并使两种杂质完全重叠，解决在波导区掺入杂质会提高器件的光学损耗的技术问题，可以在不产生额外的损耗的情况下，降低载流子迁移率，提高吸收系数。 | ||
| 搜索关键词： | 电光调制器 波导区 吸收型 掺入 硅基 载流子迁移率 轻掺杂区 吸收系数 光波导 硅衬底 埋氧层 调制效率 光学损耗 掺杂N型 掺杂P型 | ||
【主权项】：
1.一种硅基吸收型电光调制器，包括：硅衬底；形成在硅衬底上的埋氧层；形成在埋氧层上的光波导；所述光波导具有一个或多个轻掺杂区，所述轻掺杂区包括掺杂N型杂质的N型轻掺杂区和掺杂P型杂区的P型轻掺杂区，其中所述N型轻掺杂区与所述P型轻掺杂区重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海硅通半导体技术有限公司，未经上海硅通半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810100488.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
