[发明专利]加热装置和基板处理装置有效
申请号: | 201810087138.8 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108376658B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 重富贤一;七种刚;福留生将 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及加热装置和基板处理装置,能够在晶圆的面内进行均匀性良好的加热处理。在将晶圆(W)载置于热板(23)之后的升温期使各加热模块(2)以及各被加热区域之间的晶圆(W)达到基准温度为止的所需时间一致,使升温过度期的温度推移曲线的升温曲线一致。因此,在各被加热区域中,温度推移曲线一致,在晶圆(W)的面内以及加热模块(2)之间升温过度期内的累积热量一致,因此晶圆(W)的图案的线宽一致。因而,无论是在晶圆(W)的面内,还是在被互不相同的加热模块(2)进行处理后的晶圆(W)之间,都能够进行均匀性良好的加热处理。 | ||
搜索关键词: | 加热 装置 处理 | ||
【主权项】:
1.一种加热装置,将基板载置于载置台来进行加热,所述加热装置的特征在于,具备:多个加热器,其被设置于所述载置台,所述多个加热器的发热量被彼此独立地控制;温度检测部,其检测由各加热器加热的被加热区域的温度;以及温度控制部,按各加热器设置所述温度控制部,其中,所述温度控制部具备:调节部,其运算设定温度与所述温度检测部的检测温度之间的偏差,并输出对加热器的供给电力的控制信号;加法部,其将作为工艺温度的目标温度与校正值相加来得到所述设定温度;以及校正值输出部,其输出所述校正值,其中,所述校正值输出部构成为,输出规定了各经过时间的校正值的时间序列数据,使得在基板的温度推移曲线中的在向基板的工艺温度升温的中途的预先决定的基准时间点处的温度变为基准温度,其中,所述基板的温度推移曲线是表示在加热器的发热量稳定的状态下将基板载置于载置台后所述经过时间与温度之间的关系的曲线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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