[发明专利]一种发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201810086594.0 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108321270A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 宋长伟;程志青;黄文宾;林兓兓;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管的制备方法，包括于衬底上依次生长缓冲层、碳化温度为C1的材料微粒、PVD法生长的AlN层、生长温度为C2的过渡层、以及生长温度为C3的第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层的步骤，其中C3>C1>C2，材料微粒在生长过渡层未碳化，而在生长第一导电型半导体层时，其在高温下碳化，从而在缓冲层和AlN层之间形成反射和折射光的孔洞，减小发光二极管的吸光，进一步增强发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 导电型半导体层 发光二极管 碳化 材料微粒 过渡层 缓冲层 制备 孔洞 半导体领域 发光效率 发光层 折射光 衬底 减小 吸光 反射 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的制备方法，包括如下步骤：S1、提供一衬底；S2、于所述衬底上生长缓冲层；S3、于所述缓冲层上平铺碳化温度为C1的材料微粒；S4、于所述材料微粒上采用PVD法生长AlN层，所述AlN层覆盖材料微粒；S5、于所述AlN层上生长过渡层，所述过渡层的生长温度为C2，其中C2C1；所述材料微粒在温度C3下碳化，于缓冲层和AlN层之间形成孔洞；S7、于所述第一导电型半导体层上依次生长发光层和第二导电型半导体层，第一导电型半导体层与第二导电型半导体层的电性相反；S8、于所述第一导电型半导体层、第二导电型半导体层上分别制备第一电极和第二电极，形成发光二极管。
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