[发明专利]制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法有效
| 申请号： | 201810058728.8 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108285355B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈建军;刘东旭;曾凡;孔文龙 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/638 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法。该方法以酚醛树脂为反应体系的单一碳源，同时采用酚醛树脂为包覆碳源，对SiC纳米线进行表面改性，形成碳包覆SiC纳米线，它均匀分散在SiC陶瓷预制体之中，然后通过反应烧结制备成碳化硅纳米纤维增强SiC陶瓷基复合材料。本发明采用SiC纳米线作为增强体通过反应烧结原理制备陶瓷基复合材料，有效的改善了纳米纤维与基体的结合界面，实现有效增加增韧；避免了已报道反应烧结导致碳化硅晶须/纳米线参与反应或长大问题；避免了原位生长纳米线的生长不均匀和与基体界面结合效果不好，不致密问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 sic 纳米 增强 反应 烧结 碳化硅 陶瓷 复合材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备SiC纳米线增强反应烧结碳化硅陶瓷基复合材料的方法，其特征在于：该方法以酚醛树脂为反应体系的单一碳源，同时采用酚醛树脂为包覆碳源，对SiC纳米线进行表面改性，形成碳包覆SiC纳米线，它均匀分散在SiC陶瓷预制体之中，然后通过反应烧结制备成碳化硅纳米纤维增强SiC陶瓷基复合材料。
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