[发明专利]共栅晶体管、集成电路及电子装置有效
申请号: | 201810055114.4 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108231858B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 张金方;张露;韩珍珍;胡思明;朱晖 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种共栅晶体管、集成电路及电子装置,所述共栅晶体管包括栅极相互连接的第一至第五晶体管五个晶体管,这五个晶体管的栅极层连为一体而形成一个栅极图形,且第二、第四晶体管的漏极和第一晶体管的源极相连接的电路节点以及第三、第五晶体管的源极和第一晶体管的漏极相连接的电路节点均位于所述栅极图形之下,从而缩小了这五个晶体管的版图面积,基于所述共栅晶体管的集成电路,可以极大的节省电路版图设计空间以及版图设计难度,有利于高PPI的显示装置和其他高集成度的电子装置设计。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 集成电路 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种共栅晶体管,其特征在于,包括栅极相互电连接的第一至第五晶体管,其中,第二晶体管和第四晶体管的漏极共同连接到第一晶体管的源极,第三晶体管和第五晶体管的源极共同连接到第一晶体管的漏极,且第一至第五晶体管的栅极层连为一体而形成一个栅极图形,第二晶体管、第四晶体管的漏极和第一晶体管的源极相连接的电路节点以及第三晶体管、第五晶体管的源极和第一晶体管的漏极相连接的电路节点均位于所述栅极图形的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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