[发明专利]一种主动式太赫兹成像对比度增强剂及其制备方法有效
| 申请号： | 201810041607.2 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108210939B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 施奇武;黄婉霞;黄青青;朱礼国;丁明明;蒋雄瑞 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | A61K49/00 | 分类号： | A61K49/00 |
| 代理公司： | 成都中玺知识产权代理有限公司 51233 | 代理人： | 谭昌驰;邢伟 |
| 地址： | 610065 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种主动式太赫兹成像对比度增强剂及其制备方法。所述方法包括：制备纳米尺度的热致相变氧化物，并且所述热致相变氧化物能够在比目标活体的正常温度高0.5℃～5.5℃的情况下发生半导体相与金属相之间的转变；对所述热致相变氧化物进行表面修饰处理，以提高其疏水性和分散性；将与目标活体的病灶区域对应的靶向官能团结合至经表面修饰处理的热致相变氧化物，制得主动式太赫兹成像对比度增强剂。本发明的主动式太赫兹成像对比度增强剂能够在生物活体(例如，人体)病灶区域内主动发生相变，进而增强太赫兹成像的对比度，其对生物医学监测具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 主动 赫兹 成像 对比度 增强 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种主动式太赫兹成像对比度增强剂的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：制备纳米尺度的热致相变氧化物，并且所述热致相变氧化物能够在比目标活体的正常温度高0.5℃～5.5℃的情况下发生半导体相与金属相之间的转变；对所述热致相变氧化物进行表面修饰处理，以提高其疏水性和分散性；将与目标活体的病灶区域对应的靶向官能团结合至经表面修饰处理的热致相变氧化物，制得主动式太赫兹成像对比度增强剂。
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