[发明专利]一种铁盐掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及含该空穴传输层的太阳能电池有效
申请号: | 201810031304.2 | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN108288675B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 鲁统部;顾晓宇;穆延飞;张敏 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 胡辉;舒胜英 |
地址: | 300384 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: |
本发明公开了一种铁盐掺杂Spiro‑OMeTAD的空穴传输层及含该空穴传输层的太阳能电池。本发明太阳能电池从下至上依次包括导电基底、电子传输层、介孔层、钙钛矿层、FeCl |
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搜索关键词: | 一种 铁盐 掺杂 spiro ometad 空穴 传输 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池的空穴传输层,其特征在于,该空穴传输层为FeCl3掺杂的Spiro‑OMeTAD空穴传输层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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