[发明专利]一种铁盐掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及含该空穴传输层的太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201810031304.2 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN108288675B 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 鲁统部;顾晓宇;穆延飞;张敏 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 胡辉;舒胜英
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种铁盐掺杂Spiro‑OMeTAD的空穴传输层及含该空穴传输层的太阳能电池。本发明太阳能电池从下至上依次包括导电基底、电子传输层、介孔层、钙钛矿层、FeCl3掺杂Spiro‑OMeTAD的空穴传输层和金属电极。所述空穴传输层采用将FeCl3溶液滴加至Spiro‑OMeTAD溶液中并将混合溶液旋涂至钙钛矿层上获用。本发明使用FeCl3作为掺杂剂掺杂Spiro‑OMeTAD,能够大幅度提高钙钛矿太阳能电池能量转换效率,采用该空穴传输材料的器件效率可达17.2%。
搜索关键词: 一种 铁盐 掺杂 spiro ometad 空穴 传输 太阳能电池
【主权项】:
1.一种太阳能电池的空穴传输层,其特征在于,该空穴传输层为FeCl3掺杂的Spiro‑OMeTAD空穴传输层。
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