[发明专利]一种PCB孤立图形二次干膜蚀刻方法在审
| 申请号： | 201810030437.8 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108200728A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 付雷;黄勇;贺波 | 申请（专利权）人： | 奥士康精密电路（惠州）有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/06 | 分类号： | H05K3/06 |
| 代理公司： | 惠州创联专利代理事务所(普通合伙) 44382 | 代理人： | 任海燕 |
| 地址： | 516223 广东省惠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及PCB加工技术领域，公开了一种PCB孤立图形二次干膜蚀刻方法，包括如下步骤：a.图形转移；b.图形电镀；c.图形蚀刻；d.第二次图形转移；e.第二次蚀刻。本方法适用于具有局部孤立图形设计的、铜厚2OZ‑3OZ的PCB的二次干膜蚀刻方法，极大降低生产不良率，成本低，效率高，适合大规模推广。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 孤立图形 干膜 图形转移 降低生产 图形电镀 图形蚀刻 不良率 | ||
【主权项】：
1.一种PCB孤立图形二次干膜蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：a.图形转移；b.图形电镀；c.图形蚀刻；d.第二次图形转移；e.第二次蚀刻；其中，所述的c步骤包括碱性蚀刻，非孤立图形区完全蚀刻不留残铜；所述的d步骤包括如下步骤：贴一层干膜：干膜厚度25‑35um；第一次压模：压膜速度2.0±0.5m/min、压膜温度110±5℃；贴一层干膜：干膜厚度25‑35um；第二次压模：压膜速度1.8±0.5m/min，压膜温度100±5℃；曝光：孤立图形开窗单边补偿1.2‑1.5mil，非孤立区不开窗，曝光尺6格满，台面真空‑300至‑370mmHg；显影：显影点控制55±5%；所述e步骤为酸性蚀刻，参数为蚀刻压力1.8±0.2Kg/cm2，蚀刻次数1次。
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